IRFB3607 MOSFET CANAL N 75V 80A

Código SKU: 11843

Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica

Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA

Diodo cuerpo mejorado dV / dt y dI / dt capacidad

Especificaciones

Polaridad del transistor: Canal N

Intensidad drenador continua Id: 80 A

Tensión drenaje-fuente Vds: 75 V

Resistencia de activación Rds(on): 0.00734 ohm

Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V

Tensión umbral Vgs: 4 V

Disipación de potencia Pd: 140 W

Temperatura de operación máxima: 175 °C

Encapsulado: TO-220

3 pines